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[电子信息GB∕T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范

说明: GB∕T 35009-2018 串行NAND型快闪存储器接口规范
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[电子信息GB∕T 35010.1-2018 半导体芯片产品 第1部分:采购和使用要求

说明: GB∕T 35010.1-2018 半导体芯片产品 第1部分:采购和使用要求
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[电子信息GB∕T 35010.3-2018 半导体芯片产品 第3部分:操作、包装和贮存指南

说明: GB∕T 35010.3-2018 半导体芯片产品 第3部分:操作、包装和贮存指南
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[电子信息GB∕T 35010.6-2018 半导体芯片产品 第6部分:热仿真要求

说明: GB∕T 35010.6-2018 半导体芯片产品 第6部分:热仿真要求
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[电子信息GB∕T 35010.8-2018 半导体芯片产品 第8部分:数据交换的EXPRESS格式

说明: GB∕T 35010.8-2018 半导体芯片产品 第8部分:数据交换的EXPRESS格式
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[电子信息GB∕T 35010.5-2018 半导体芯片产品 第5部分:电学仿真要求

说明: GB∕T 35010.5-2018 半导体芯片产品 第5部分:电学仿真要求
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[电子信息GB∕T 35010.4-2018 半导体芯片产品 第4部分:芯片使用者和供应商要求

说明: GB∕T 35010.4-2018 半导体芯片产品 第4部分:芯片使用者和供应商要求
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[电子信息GB∕T 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法

说明: GB∕T 35007-2018 半导体集成电路 低电压差分信号电路测试方法
<yezaij******> 在 2018-12-16 上传 | 大小: | 下载0次

[电子信息GB∕T 35006-2018 半导体集成电路 电平转换器测试方法

说明: GB∕T 35006-2018 半导体集成电路 电平转换器测试方法
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[电子信息GB∕T 35005-2018 集成电路倒装焊试验方法

说明: GB∕T 35005-2018 集成电路倒装焊试验方法
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[电子信息GB∕T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法

说明: GB∕T 35003-2018 非易失性存储器耐久和数据保持试验方法
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[电子信息GB∕T 4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法

说明: GB∕T 4377-2018 半导体集成电路 电压调整器测试方法
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